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Mosfet, Ca-N, 150V, 130A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:130A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00625Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FDB075N15A
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    • Schottky Aec-Q101, 100V To-277; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):10A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277; No.
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    • Schottky Aec-Q101, 150V To-277; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:150V; Corrente Diretta If(Av):10A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277; No.
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    • Schottky Aec-Q101, 100V To-277; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):12A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277; No.
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    • Schottky Aec-Q101, 100V To-277; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):15A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277; No.
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    • Schottky Aec-Q101, 100V To-277; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):20A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277; No.
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    • Schottky Aec-Q101, 150V To-277; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:150V; Corrente Diretta If(Av):20A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277; No.
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    • Schottky Aec-Q101, 100V To-277; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277; No.
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    • Diodo Segnale Piccolo 100V, 0.2A, Sod-80; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrent |ONSEMI LL4148
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    • Onsemi Mdb10S

    Onsemi Mdb10S

    Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Micro Dip; Tensione Diretta Vf Max:1.Diodo Rett. Bridge, 1-Fa, 1Kv, Micro Dip; No.1V; No.

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    • Bridge 1-Fa, 800V, Micro Dip; No.

    Bridge 1-Fa, 800V, Micro Dip; No.

    1V; No |ONSEMI MDB8S Diodo Rett.Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:800V; Corrente Diretta If(Av):1A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Micro Dip; Tensione Diretta Vf Max:1. Onsemi Mdb8S.

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    • Rettificatore, Aec-Q101, 600V, Sod-123F; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.7V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sod-123F; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI ES1JFL
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    • Mosfet, Ca-N, 200V, 16A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:89W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Mosfet, Ca-N, 200V, 16A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:89W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Onsemi Fdd18N20Lz Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Unifet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDD18N20LZ.

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    • Mosfet, Ca-P, -12V, -12A, Microfet-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.01Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-600Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2.4W; Modello Case Transistor:Microfet; No.

    Mosfet, Ca-P, -12V, -12A, Microfet-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.01Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-600Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2.4W; Modello Case Transistor:Microfet; No.

    Onsemi Fdma908Pz Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDMA908PZ.

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    • Diodo Segnale Piccolo 100V, 0.2A, Sod-80; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:2A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Sod-80 (Minimelf); No.
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    • Mosfet, Doppio Ca-N, 30V 4,8A Microfet-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.6W; Modello Case Transistor:Microfet; No.

    Mosfet, Doppio Ca-N, 30V 4,8A Microfet-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.6W; Modello Case Transistor:Microfet; No.

    Onsemi Fdmb3800N Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDMB3800N.

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    • Mosfet, Doppio Ca-N 40V 12A, Power 33-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:14W; Modello Case Transistor:Power 33; No.

    Mosfet, Doppio Ca-N 40V 12A, Power 33-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:14W; Modello Case Transistor:Power 33; No.

    Onsemi Fdmc8030 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDMC8030.

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    • Mosfet, Ca-N, 100V, 22A, Power 33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:22A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |ONSEMI FDMC86102LZ
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    Mosfet, Ca-N, 100V, 60A, Dual Cool 56-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.006Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:125W; Modello Case Transistor:Dual Cool 56; No.

    Onsemi Fdms86101Dc Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDMS86101DC.

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    Mosfet, Ca-P, -150V, -22A, Power 56-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-22A; Tensione Drain Source Vds:-150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.042Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:104W; Modello Case Transistor:Power 56; No.

    Onsemi Fdms86263P Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDMS86263P.

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