reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Tektronix

Oscilloscopio, 4Canali, 350Mhz, 2.5Gsps; Gamma Prodotti:3 Series; Canali Oscilloscopio:4 Analogici; Larghezza Di Banda:350Mhz; Frequenza Di Campionamento:2.5Gsps; Display Profondità Di Memoria:-; Tempo Di Salita Calcolat |TEKTRONIX MDO34 3-BW-350
  • Articoli di ferramenta
  • Utensili
  • Strumenti/sensori misurazione
  • Misuratori di umidità
  • Test e misurazioni
  • Tektronix
    • Oscilloscopio, 4Canali, 500Mhz, 2.5Gsps; Gamma Prodotti:3 Series; Canali Oscilloscopio:4 Analogici; Larghezza Di Banda:500Mhz; Frequenza Di Campionamento:2.5Gsps; Display Profondità Di Memoria:-; Tempo Di Salita Calcolat |TEKTRONIX MDO34 3-BW-500
  • Articoli di ferramenta
  • Accessori per attrezzi
  • Accessori strumenti/sensori misurazione
  • Accessori gas detector
  • Test e misurazioni
  • Tektronix
    • Oscilloscopio, 4Canali, 1Ghz, 5Gsps; Gamma Prodotti:3 Series; Canali Oscilloscopio:4 Analogici; Larghezza Di Banda:1Ghz; Frequenza Di Campionamento:5Gsps; Display Profondità Di Memoria:-; Tempo Di Salita Calcolato:-; Tip |TEKTRONIX MDO34 3-BW-1000
  • Articoli di ferramenta
  • Accessori per attrezzi
  • Accessori strumenti/sensori misurazione
  • Accessori gas detector
  • Test e misurazioni
  • Tektronix
    • Custodia Morbida, Oscill.

    Custodia Morbida, Oscill.

    Tektronix Sc3 Dominio Misto; Tipo Di Case:Valigetta Da Trasporto; Colore Case:-; Utilizzare Con:Oscilloscopio A Dominio Misto Tektronix Serie 3; Gamma Prodotti:3 Series; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Sv |TEKTRONIX SC3.

  • Articoli sportivi
  • Esercizio e fitness
  • Cardio
  • Cardio machine
  • Cyclette
  • Test e misurazioni
  • Tektronix
    • Upgrade Mso, Mdo; Tipo Di Accessorio:Upgrade Mso; Utilizzare Con:Oscilloscopio A Dominio Misto Tektronix Serie 3; Gamma Prodotti:3 Series; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |TEKTRONIX SUP3 MSO
  • Forniture per ufficio
  • Forniture per presentazioni
  • Lucidi
  • Test e misurazioni
  • Tektronix
    • Aggiunta Largh Banda, 9Khz-3Ghz, Mso; Tipo Di Accessorio:Upgrade Larghezza Di Banda Da 9Khz A 3Ghz; Utilizzare Con:Oscilloscopio A Dominio Misto Tektronix Serie 3; Gamma Prodotti:3 Series; Sostanze Estremamente Preoccupa |TEKTRONIX SUP3 SA3
  • Forniture per ufficio
  • Forniture per presentazioni
  • Lucidi
  • Test e misurazioni
  • Tektronix
    • Mosfet, Canale N, 80V, 12A, 150°C, 19W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Mosfet, Canale N, 80V, 12A, 150°C, 19W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Vishay Sia108Dj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Gen Iv Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |VISHAY SIA108DJ-T1-GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N 60V, 100A, 175°C, 150W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |VISHAY SQM50034E_GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Misur/Analisi Spettro Visivo, Mso; Tipo Di Accessorio:Upgrade Misurazione & Analisi Visione Spettro; Utilizzare Con:Oscilloscopio A Segnale Misto Tektronix Serie 4; Gamma Prodotti:4 Series; Sostanze Estremamente Preoccup |TEKTRONIX SUP4-SV-BAS
  • Articoli di ferramenta
  • Utensili
  • Pulizia tubi e condutture
  • Test e misurazioni
  • Tektronix
    • Rilev.

    Rilev.

    Digilent 240-071 Portata Ultrasuoni, Schd Embedded; Tipo Di Accessorio:Rilevatore Range Ultrasonico Pmodmaxsonar; Utilizzare Con:Schede Di Sviluppo Integrate; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15 |DIGILENT 240-071.

  • Articoli di ferramenta
  • Utensili
  • Strumenti/sensori misurazione
  • Strumenti per test elettrici
  • Schede di sviluppo e tool di valutazione
  • Digilent
    • Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Rohm Bm2Scq121T-Lbz Di Pin:6Pin; Livello Di Potenza:-; Topologia:Flyback; Temperatura Di Eserciz |ROHM BM2SCQ121T-LBZ.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Rohm
    • Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Rohm Bm2Scq122T-Lbz Di Pin:6Pin; Livello Di Potenza:-; Topologia:Flyback; Temperatura Di Eserciz |ROHM BM2SCQ122T-LBZ.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Rohm
    • Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Rohm Bm2Scq123T-Lbz Di Pin:6Pin; Livello Di Potenza:-; Topologia:Flyback; Temperatura Di Eserciz |ROHM BM2SCQ123T-LBZ.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Rohm
    • Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Ac/Dc Conv, Flyback, -40 To 105Deg C; Tensione Di Ingresso Ca Min:-; Tensione Di Ingresso Ca Max:-; Modello Case Convertitore Ca/Cc:To-220; No.

    Rohm Bm2Scq124T-Lbz Di Pin:6Pin; Livello Di Potenza:-; Topologia:Flyback; Temperatura Di Eserciz |ROHM BM2SCQ124T-LBZ.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Rohm
    • Radd Schottky, Sing., 100V, Do-214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Diodo Tvs, 1.5Kw, 36V, Bidir, Do-214Ab; Gamma Prodotti:Transzorb Smcj Series; Polarità Tvs:Bidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:36V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:58.1V; Modello Involucro Diodo:Do-214Ab; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Protezione dei circuiti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 80V, 12A, 150°C, 19W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |VISHAY SIA108DJ-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 600V, 19A, 150°C, 33W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:19A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.158Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |VISHAY SIHA22N60EF-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 600V, 19A, 150°C, 179W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:19A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.158Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |VISHAY SIHB22N60EF-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 600V, 19A, 150°C, 179W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:19A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.158Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |VISHAY SIHG22N60EF-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 600V, 19A, 150°C, 179W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:19A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.158Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |VISHAY SIHP22N60EF-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 800V, 4.1A, 62.5W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.1A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SIHU4N80AE-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 80V, 16A, 150°C, 24W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.028Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |VISHAY SIS108DN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 60V, 81,2A, 150°C, 57W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:81.2A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |VISHAY SISS26LDN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 80V, 55,5A, 150°C, 57W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:55.5A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00705Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V |VISHAY SISS30LDN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 100V, 39A, 150°C, 57W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:39A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0122Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |VISHAY SISS42LDN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Aec-Q101, Dual N-Ch, 20V, 0.85A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.21Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): |VISHAY SQ1922AEEH-T1_GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N 60V, 100A, 175°C, 107W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |VISHAY SQD50034E_GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Aec-Q101, Dual N-Ch, 40V, 60A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10 |VISHAY SQJ208EP-T1_GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Radd Schottky, Sing., 100V, Do-214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Radd Schottky, Sing., 100V, Do-214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Vishay Vs-10Mq100Hm3/5At Di Pin:2Pin; Tensione Diretta Vf Max:780Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:120A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata |VISHAY VS-10MQ100HM3/5AT.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • PREVIOUS 310891 310892 310893 310894 310895 310896 310897 310898 310899 310900 310901 310902 310903 310904 310905 310906 310907 NEXT