Stmicroelectronics Stpmic1Apqr

Componenti passivi circuiti

Oscillatori elettronici

Silicon Labs

Sensore Di Temp, Uscita I2C, Dfn-6; Tipo Uscita Ci:I2C; Intervallo Di Accuratezza Rilevamento:Â± 0,5Â°C; Temperatura Di Rilevamento Min:-40Â°C; Temperatura Di Rilevamento Max:125Â°C; Modello Case Sensore Ci:Dfn; No.

Silicon Labs Si7055-A20-Imr Di Pin:6 |SILICON LABS SI7055-A20-IMR.

Silicon Labs

Stmicroelectronics Spc58Eg80E5Fec0X

Di Bit:32Bit; VelocitÃ Cpu:160Mhz; Dimensioni Memoria Di Programma:4Mb; Dimensione Memoria Ram:768Kb; No. Di Pin:144Pin; Modello Case Mcu:Tqfp-Ep; No.

Raddrizzat, Sing, 30A, 1,2Kv, D2Pak Hv; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):30A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:300A; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Modello Involucro Diodo:D2Pak Hv; No.

Stmicroelectronics Stbr3012G2-Tr Di Pin:3Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata |STMICROELECTRONICS STBR3012G2-TR.

Raddrizzat, Sing, 30A, 1,2Kv, D2Pak Hv; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):30A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:300A; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Modello Involucro Diodo:D2Pak Hv; No.

Stmicroelectronics Stbr3012G2Y-Tr Di Pin:3Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata |STMICROELECTRONICS STBR3012G2Y-TR.

Mosfet, Ca-N, 600V, 21A, 150W, Powerflat; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:Powerflat; No.

Stmicroelectronics Stl33N60M6 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Mdmesh M6 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS STL33N60M6.

Mcu, Aec-Q100, 160Mhz, 32 Bit, Tqfp-144; Gamma Prodotti:Spc5 Family Spc58Egx Series Microcontrollers; Architettura:Power Architecture; No.

Stmicroelectronics Spc58Eg80E5Fec0X Di Bit:32Bit; VelocitÃ Cpu:160Mhz; Dimensioni Memoria Di Programma:4Mb; Dimension |STMICROELECTRONICS SPC58EG80E5FEC0X.

Raddrizzat, Sing, 30A, 1,2Kv, D2Pak Hv; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):30A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente D |STMICROELECTRONICS STBR3012G2-TR

Stmicroelectronics Stbr3012G2-Tr.

Raddrizzat, Sing, 30A, 1,2Kv, D2Pak Hv; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):30A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente D |STMICROELECTRONICS STBR3012G2Y-TR

Stmicroelectronics Stbr3012G2Y-Tr.

Mosfet, Ca-N, 40V, 120A, 4.8W, Powerflat; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |STMICROELECTRONICS STL160N4F7

Stmicroelectronics Stl160N4F7.

Mosfet, Ca-N, 40V, 120A, 4.8W, Powerflat; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |STMICROELECTRONICS STL160N4F7

Stmicroelectronics Stl160N4F7.

Mosfet, Ca-N, 600V, 21A, 150W, Powerflat; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |STMICROELECTRONICS STL33N60M6

Stmicroelectronics Stl33N60M6.

Mosfet, Ca-N, 600V, 31A, 190W, Powerflat; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.07Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |STMICROELECTRONICS STL47N60M6

Stmicroelectronics Stl47N60M6.

Stmicroelectronics Stpmic1Apqr

Ci Gestione Potenza, Wfqfn-44; Tensione Di Alimentazione:5.Di Uscite Regolate:12; Case Ci Digitale:Wfqfn; No.5V; No..

Stmicroelectronics Stpmic1Apqr

Di Convertitori Step-Down Cc-Cc:4; No. Di Pin:44Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-; Temperatura Di Esercizio Max:-; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS STPMIC1APQR Di Regolatori Ldo:7; No..

Stmicroelectronics Stpmic1Bpqr

5V; No.

Stmicroelectronics Stpmic1Cpqr

5V; No.Di Uscite Regolate:12; Case Ci Digitale:Wfqfn; No.

Diodo Schottky Carburo Silicio, D2Pak Hv; Gamma Prodotti:-; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:650V; Corrente Diretta Continua If:12A; Potenza Reattiva Capacitiva Qc:36Nc; Modello Involucr |STMICROELECTRONICS STPSC12065G2Y-TR

Stmicroelectronics Stpsc12065G2Y-Tr.

Mosfet, Ca-N, 600V, 31A, 190W, Powerflat; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.07Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:190W; Modello Case Transistor:Powerflat; No.

Stmicroelectronics Stl47N60M6 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Mdmesh M6 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS STL47N60M6.