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Diodes Inc.

Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Pro |DIODES INC.

Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Pro |DIODES INC.

Diodes Inc.1V, 0.BZT52C5V1S-7-F Diodo Zener, 5.88%; No.

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    Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodot |DIODES INC.

    6V, 0.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Involucro Diodo:Sod-123; Tolleranza Zener ±:6%; No. Bzt52C5V6-7-F.

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    • Transistor, Rf, 50V, Sot-363; Polarità Transistor Digitale:Doppio Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:-; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base-Emettitore |DIODES INC.
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    Di Pin:2Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:200Mw; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica A |DIODES INC.

    DESD5V0S1BA-7 Diodo Protezione Esd, Sod-323; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:14V; Modello Involucro Diodo:Sod-323; No.

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    • Raddrizzat, Sing, 200V, 1A, Powerdi 123; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:980Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:25Ns; Corrent |DIODES INC.
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    • Mosfet, Aec-Q101, Can N, 20V, Sot-523; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:630Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tens |DIODES INC.
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    • Transist, Doppio Npn, 40V, 0.2A, Sot363; Polarità Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Dissipazione Di Potenza Pd:200Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; |DIODES INC.
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    • N, 12V, 9.3A, Sc-59; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:9.3A; Tensione Drain Source Vds:12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.007Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione |DIODES INC.
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    • Mosfet, Can-N, 30V, 5.8A, Sot23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.8A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |DIODES INC.
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    • Mosfet, Can-N, 30V, 4A, Sot323; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.052Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |DIODES INC.
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    • Mosfet, Can-N, 30V, 2.6A, Sot323; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione |DIODES INC.
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    • Mosfet, Doppio Can N, 30V, 3,5A, Tsot26; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): |DIODES INC.
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    • Mosfet, Doppio Can N, 30V, 1A, Sot363; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.122Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |DIODES INC.
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    • Mosfet, Can-N, 30V, 0.75A, Sot23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:750Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.46Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione |DIODES INC.
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    • Mosfet, Ca-P, -100V, -0,27A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-270Ma; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.8Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tens |DIODES INC.
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    • Transistor, Pnp, -500V, -0.15A, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-500V; Frequenza Di Transizione Ft:60Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:-150Ma; Guada |DIODES INC.
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    Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti |DIODES INC.

    mmsz5248B-7-F. Diodes Inc.MMSZ5248B-7-F Diodo Zener, 18V, 0.

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    • Diodes Inc. Sbr1A40S3-7

    Diodes Inc. Sbr1A40S3-7

    SBR1A40S3-7. Di Pin:2Pin; Tensione Diretta Vf Max:550M |DIODES INC.Rettificatore Schottky Sing.

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