Onsemi Bc858Clt1G
About The Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-30V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:-100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.:800; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):420V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Universale |ONSEMI BC858CLT1G
Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-30V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:-100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Bcxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:-100Ma; Hfe Min.:800; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):420V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Universale ,ONSEMI BC858CLT1G
Semiconduttori - Discreti
Onsemi Bc858Clt1G
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Onsemi Bc858Clt1G | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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