Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:290Hfe; Case Transistor Rf:Sot-323; No.

Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

8A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +175Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-1.Onsemi Si4435Dy Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-8.

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Semiconduttori - Discreti

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Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.084Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Onsemi Ntd3055-094T4G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:12A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +175Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:60Vdc; Tensione Vgs Max:2.9V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10Vdc; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI NTD3055-094T4G.

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Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STN1NK60Z.Stmicroelectronics Stn1Nk60Z Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:300Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:3.

Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.084Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

Transistor, Mosfet, PolaritÃ N; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.7A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |VISHAY SI4848DY-T1-E3

Transistor, Unigiunzione; Corrente Diretta Ripetitiva Itrm Max:2A; Corrente Di Picco Emettitore:1Îa; Corrente A Valle Iv:6Ma; Modello Case Transistor:To-18; Numero Di Pin:3 Pin; Temperatura Di Esercizio Max:125Â°C; Gamma |MULTICOMP PRO 2N2646

Transistor,npnpnp,sot363; PolaritÃ Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI BC847BPDW1T1G

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C |ONSEMI BC847BWT1G

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-40V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI MMBT4403LT1G

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI MMBTA92LT1G

Induttore, 18Nh, 5%, 0603, Multistrato; Induttanza:18Nh; Gamma Prodotti:Serie Ci160808; Intervallo Corrente Cc:300Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0603 [1608 Metrico]; Struttura Induttore:Multistrato; Resistenza Cc |BOURNS CI160808-18NJ

Induttore, 1Mh, 10%, 1812, Avvolto; Induttanza:1Mh; Gamma Prodotti:Serie Cm453232; Intervallo Corrente Cc:30Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:1812 [4532 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Ma |BOURNS CM453232-102JL

Inductor, Choke; Gamma Prodotti:Serie 6000; Induttanza:220Îh; Intervallo Corrente Cc:1A; Resistenza Cc Max:0.65Ohm; Tolleranza Induttanza:Â± 10%; Frequenza Di Autorisonanza Min:2.7Mhz; Sostanze Estremamente Preoccupanti ( |BOURNS JW MILLER 6000-221K-RC

Transistor,npnpnp,sot363; PolaritÃ Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No.

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:290Hfe; Case Transistor Rf:Sot-323; No.

Induttore Potenza, 68Uh, 20%, Smd, Sch.; Induttanza:68Îh; Corrente Rms (Irms):890Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):960Ma; Gamma Prodotti:Serie Dr; Involucro Induttore Di Potenza:7,6Mm X 7, |EATON COILTRONICS DR73-680-R

Induttore Potenza, 330Uh, 20%, Smd; Induttanza:330Îh; Corrente Rms (Irms):450Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):540Ma; Gamma Prodotti:Serie Dr; Involucro Induttore Di Potenza:7,6Mm X 7,6Mm |EATON COILTRONICS DR74-331-R

Induttore, Alimentazione; Gamma Prodotti:Serie Drq; Induttanza, Parallela:10.47Îh; Corrente Rms - Parallela:6.04A; Corrente Di Saturazione - Parallelo:11.2A; Custodia Induttore Accoppiato:12,5Mm X 12,5Mm X 8Mm; Resistenz |EATON COILTRONICS DRQ127-100-R

Induttore, A Filo Avvolto; Induttanza:100Îh; Gamma Prodotti:Serie Lb; Intervallo Corrente Cc:45Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0805 [2012 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Max:7Ohm; Tolle |TAIYO YUDEN LB2012T101K

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-40V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:50Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Grano Chip, 0,05Ohm, 500Ma, 0603; Modello Case Ferrite:0603 [1608 Metrico]; Impedenza @ 100Mhz:10Ohm; Intervallo Corrente Cc:500Ma; Gamma Prodotti:Serie Ilb; Resistenza Cc Max:0.05Ohm; Tolleranza Impedenza:Â± 25%; Standar |VISHAY ILBB0603ER100V

Grano Chip, 0,35Ohm, 100Ma, 0805; Modello Case Ferrite:0805 [2012 Metrico]; Impedenza @ 100Mhz:1Kohm; Intervallo Corrente Cc:100Ma; Gamma Prodotti:Serie Ilb; Resistenza Cc Max:0.35Ohm; Tolleranza Impedenza:Â± 25%; Standar |VISHAY ILBB0805ER102V

Grano Chip, 0,15Ohm, 300Ma, 0805; Modello Case Ferrite:0805 [2012 Metrico]; Impedenza @ 100Mhz:120Ohm; Intervallo Corrente Cc:300Ma; Gamma Prodotti:Serie Ilb; Resistenza Cc Max:0.15Ohm; Tolleranza Impedenza:Â± 25%; Standa |VISHAY ILBB0805ER121V

Induttore, High F, Avvolto; Induttanza:10Îh; Gamma Prodotti:Serie Imc-0805-01; Intervallo Corrente Cc:80Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0805 [2012 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Max:5O |VISHAY IMC0805ER100J01

Relay, Solid State, 100V, 150Ma; Configurazione Contatti:Spst-Na; Corrente Di Carico:150Ma; Terminali RelÃ©:Smd; Tensione Di Carico Max:100V; Resistenza Stato On Max:8Ohm; Tensione Di Isolamento:1.5Kv; Corrente Diretta If |CLARE CPC1008N

RelÃ¨, Photomosfet; Configurazione Contatti:Spst-Na; Corrente Di Carico:120Ma; Terminali RelÃ©:Foro Passante; Tensione Di Carico Max:350V; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Tensione Di Isolamento:3.75Kv; Corrente Diretta If:5 |CLARE LAA110

RelÃ¨, Mosfet; Configurazione Contatti:Spst-Na; Corrente Di Carico:120Ma; Terminali RelÃ©:Foro Passante; Tensione Di Carico Max:350V; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Tensione Di Isolamento:3.75Kv; Corrente Diretta If:2Ma; G |CLARE LCA110

RelÃ¨, Solid State Spst; Configurazione Contatti:Spst-Na; Corrente Di Carico:1A; Terminali RelÃ©:A Saldare; Tensione Di Carico Max:60V; Resistenza Stato On Max:0.5Ohm; Tensione Di Isolamento:3.75Kv; Corrente Diretta If:10M |CLARE LCA710

Transistor, Unigiunzione; Corrente Diretta Ripetitiva Itrm Max:2A; Corrente Di Picco Emettitore:1Îa; Corrente A Valle Iv:6Ma; Modello Case Transistor:To-18; Numero Di Pin:3 Pin; Temperatura Di Esercizio Max:125Â°C; Gamma |MULTICOMP PRO 2N2646

Inductor, Choke; Gamma Prodotti:Serie 6000; Induttanza:220Îh; Intervallo Corrente Cc:1A; Resistenza Cc Max:0.65Ohm; Tolleranza Induttanza:Â± 10%; Frequenza Di Autorisonanza Min:2.7Mhz; Sostanze Estremamente Preoccupanti ( |BOURNS JW MILLER 6000-221K-RC

Induttore Potenza, 68Uh, 20%, Smd, Sch.; Induttanza:68Îh; Corrente Rms (Irms):890Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):960Ma; Gamma Prodotti:Serie Dr; Involucro Induttore Di Potenza:7,6Mm X 7, |EATON COILTRONICS DR73-680-R

Induttore Potenza, 330Uh, 20%, Smd; Induttanza:330Îh; Corrente Rms (Irms):450Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):540Ma; Gamma Prodotti:Serie Dr; Involucro Induttore Di Potenza:7,6Mm X 7,6Mm |EATON COILTRONICS DR74-331-R

Induttore, Alimentazione; Gamma Prodotti:Serie Drq; Induttanza, Parallela:10.47Îh; Corrente Rms - Parallela:6.04A; Corrente Di Saturazione - Parallelo:11.2A; Custodia Induttore Accoppiato:12,5Mm X 12,5Mm X 8Mm; Resistenz |EATON COILTRONICS DRQ127-100-R

Induttore, A Filo Avvolto; Induttanza:100Îh; Gamma Prodotti:Serie Lb; Intervallo Corrente Cc:45Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0805 [2012 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Max:7Ohm; Tolle |TAIYO YUDEN LB2012T101K

Induttore, High F, Avvolto; Induttanza:10Îh; Gamma Prodotti:Serie Imc-0805-01; Intervallo Corrente Cc:80Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0805 [2012 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Max:5O |VISHAY IMC0805ER100J01