reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Onsemi

Onsemi Bc857Bdw1T1G

About The Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:150Hfe; Modello Case Transistor:Sot-363; No.:475; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):220V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Universale |ONSEMI BC857BDW1T1G

Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:150Hfe; Modello Case Transistor:Sot-363; No. Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Bcxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:-100Ma; Hfe Min.:475; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):220V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Universale ,ONSEMI BC857BDW1T1G

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Bc857Bdw1T1G

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Bc857Bdw1T1G

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Onsemi Bc857Bdw1T1G
More Varieties

Rating :- 8 /10
Votes :- 50