Onsemi Bc857Bdw1T1G
About The Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:150Hfe; Modello Case Transistor:S |ONSEMI BC857BDW1T1G
Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:150Hfe; Modello Case Transistor:S ,ONSEMI BC857BDW1T1G
Semiconduttori - Discreti
Onsemi Bc857Bdw1T1G
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Onsemi Bc857Bdw1T1G | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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