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About The Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.:250; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):60V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Bipolare Per Alimentazione |ONSEMI MMBT5550LT1G

Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:60Ma; Hfe Min.:250; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):60V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Bipolare Per Alimentazione ,ONSEMI MMBT5550LT1G

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Specifications of Onsemi Mmbt5550Lt1G

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Onsemi Mmbt5550Lt1G
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Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4 |STMICROELECTRONICS STP20NM50
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