Vishay Irfpe50Pbf
About The 2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |VISHAY IRFPE50PBF.8A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1
Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7.8A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di ,VISHAY IRFPE50PBF
Semiconduttori - Discreti
Vishay Irfpe50Pbf
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Vishay Irfpe50Pbf | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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