Onsemi Bc847Bpdw1T1G
About The Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI BC847BPDW1T1G
Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente ,ONSEMI BC847BPDW1T1G
Semiconduttori - Discreti
Onsemi Bc847Bpdw1T1G
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Onsemi Bc847Bpdw1T1G | |
|---|---|
| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
| Instock | instock |
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![Induttore, 1Mh, 10%, 1812, Avvolto; Induttanza:1Mh; Gamma Prodotti:Serie Cm453232; Intervallo Corrente Cc:30Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:1812 [4532 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Ma |BOURNS CM453232-102JL](/op/android/logo.png){kind=logo}