reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Onsemi

Onsemi Bc847Bwt1G

About The Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C |ONSEMI BC847BWT1G

Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C ,ONSEMI BC847BWT1G

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Bc847Bwt1G

More from Onsemi | Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C |ONSEMI BC847BWT1G
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Bc847Bwt1G

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Onsemi Bc847Bwt1G
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.11 /10
Votes :- 52
Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:290Hfe; Case Transistor Rf:Sot-323; No.

Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:290Hfe; Case Transistor Rf:Sot-323; No.

Onsemi Bc847Bwt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Bcxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Modello Case Transistor:Sc-70; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI BC847BWT1G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No.

    Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No.

    Onsemi Bc847Bpdw1T1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Modello Case Transistor:Sot-363; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI BC847BPDW1T1G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Inductor, Choke; Gamma Prodotti:Serie 6000; Induttanza:220Μh; Intervallo Corrente Cc:1A; Resistenza Cc Max:0.65Ohm; Tolleranza Induttanza:± 10%; Frequenza Di Autorisonanza Min:2.7Mhz; Sostanze Estremamente Preoccupanti ( |BOURNS JW MILLER 6000-221K-RC
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Bourns Jw Miller
    • Induttore, 1Mh, 10%, 1812, Avvolto; Induttanza:1Mh; Gamma Prodotti:Serie Cm453232; Intervallo Corrente Cc:30Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:1812 [4532 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Ma |BOURNS CM453232-102JL
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Bourns
    • Induttore, 18Nh, 5%, 0603, Multistrato; Induttanza:18Nh; Gamma Prodotti:Serie Ci160808; Intervallo Corrente Cc:300Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0603 [1608 Metrico]; Struttura Induttore:Multistrato; Resistenza Cc |BOURNS CI160808-18NJ
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Bourns
    • Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI MMBTA92LT1G
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-40V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI MMBT4403LT1G
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C |ONSEMI BC847BWT1G
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-40V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI MMBT4403LT1G
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C |ONSEMI BC847BWT1G
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi