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Semiconduttori - Discreti
Onsemi

Onsemi Bc847Bpdw1T1G

About The Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Modello Case Transistor:Sot-363; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI BC847BPDW1T1G

Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Modello Case Transistor:Sot-363; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale ,ONSEMI BC847BPDW1T1G

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Bc847Bpdw1T1G

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Bc847Bpdw1T1G

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Onsemi Bc847Bpdw1T1G
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Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-40V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-40V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Onsemi mmbt4403Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Case Transistor Rf:Sot-23; Corrente Continua Di Collettore Ic:-600Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:200Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI MMBT4403LT1G.

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    • Induttore, A Filo Avvolto; Induttanza:100Μh; Gamma Prodotti:Serie Lb; Intervallo Corrente Cc:45Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0805 [2012 Metrico]; Struttura Induttore:A Filo Avvolto; Resistenza Cc Max:7Ohm; Tolle |TAIYO YUDEN LB2012T101K
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  • Taiyo Yuden
    • Induttore, Alimentazione; Gamma Prodotti:Serie Drq; Induttanza, Parallela:10.47Μh; Corrente Rms - Parallela:6.04A; Corrente Di Saturazione - Parallelo:11.2A; Custodia Induttore Accoppiato:12,5Mm X 12,5Mm X 8Mm; Resistenz |EATON COILTRONICS DRQ127-100-R
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    • Induttore Potenza, 330Uh, 20%, Smd; Induttanza:330Μh; Corrente Rms (Irms):450Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):540Ma; Gamma Prodotti:Serie Dr; Involucro Induttore Di Potenza:7,6Mm X 7,6Mm |EATON COILTRONICS DR74-331-R
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    • Induttore Potenza, 68Uh, 20%, Smd, Sch.; Induttanza:68Μh; Corrente Rms (Irms):890Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):960Ma; Gamma Prodotti:Serie Dr; Involucro Induttore Di Potenza:7,6Mm X 7, |EATON COILTRONICS DR73-680-R
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    • Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:290Hfe; Case Transistor Rf:Sot-323; No.

    Transistor, Rf Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:290Hfe; Case Transistor Rf:Sot-323; No.

    Onsemi Bc847Bwt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Bcxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Modello Case Transistor:Sc-70; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI BC847BWT1G.

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    • Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No.

    Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No.

    Onsemi Bc847Bpdw1T1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Modello Case Transistor:Sot-363; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI BC847BPDW1T1G.

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    • Inductor, Choke; Gamma Prodotti:Serie 6000; Induttanza:220Μh; Intervallo Corrente Cc:1A; Resistenza Cc Max:0.65Ohm; Tolleranza Induttanza:± 10%; Frequenza Di Autorisonanza Min:2.7Mhz; Sostanze Estremamente Preoccupanti ( |BOURNS JW MILLER 6000-221K-RC
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    Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Sot-363; No.

    Onsemi Bc847Bpdw1T1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Modello Case Transistor:Sot-363; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI BC847BPDW1T1G.

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