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Stmicroelectronics Stth1003Sb-Tr

About The Raddrizzatore, Sing, 10A, 300V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:300V; Corrente Diretta If(Av):10A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente |STMICROELECTRONICS STTH1003SB-TR

Raddrizzatore, Sing, 10A, 300V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:300V; Corrente Diretta If(Av):10A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente ,STMICROELECTRONICS STTH1003SB-TR

Semiconduttori - Discreti

Stmicroelectronics Stth1003Sb-Tr

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Specifications of Stmicroelectronics Stth1003Sb-Tr

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
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Raddrizzatore Aec-Q101 4A 200V Do-214Aa; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):4A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.05V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:30Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:70A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata |STMICROELECTRONICS STTH4R02UY
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    • Raddrizzatore, Sing, 10A, 300V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:300V; Corrente Diretta If(Av):10A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:100A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:To-252; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata |STMICROELECTRONICS STTH1003SB-TR
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    • Eeprom, 1Kbit, Da -40 A 85°C; Dimensione Memoria:1Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:64 X 16Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Microwire Seriale; Frequenza Di Clock:2Mhz; Modello Case Memoria Ci:Nsoic; No.

    Eeprom, 1Kbit, Da -40 A 85°C; Dimensione Memoria:1Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:64 X 16Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Microwire Seriale; Frequenza Di Clock:2Mhz; Modello Case Memoria Ci:Nsoic; No.

    5V; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:85°C; Gamma Prodotti:1Kbit Microwire Serial Eeprom; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS M93S46-WMN6TP.5V; Tensione Di Alimentazione Max:5.

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    • Tensione In Uscita Fissa:5V; Tensione Min Di Uscita Regolabile:-; Tensione Max Di Uscita Regolabile:-; Corrente Di Uscita:400Ma; Tensione Dropout Vdo:300Mv; Modello Case Regolatore Ldo:To-220; No.

    Tensione In Uscita Fissa:5V; Tensione Min Di Uscita Regolabile:-; Tensione Max Di Uscita Regolabile:-; Corrente Di Uscita:400Ma; Tensione Dropout Vdo:300Mv; Modello Case Regolatore Ldo:To-220; No.

    Di Pin:7Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:5V 400Ma Ldo Voltage Regulators; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON TLE42672GATMA1 Ldo, Fisso, 5V, 0,4A, -40/150°C; Tipo Di Uscita:Fisso; Tensione Di Ingresso Min:5.5V; Tensione Di Ingresso Max:40V; Nom. Infineon Tle42672Gatma1.

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    • Diodo Tvs, 400W, 376V, Bidir, Do-15; Gamma Prodotti:Transil Bzw04 Series; Polarità Tvs:Bidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:376V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:776V; Modello Involucro Diodo:Do-15 (Do-204Ac); |STMICROELECTRONICS BZW04-376BRL
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    • Raddrizzatore, Sing, 14A, 600V, To-220Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):14A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:3.6V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:25Ns; Corren |STMICROELECTRONICS STTH506DTI
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