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Onsemi Fdb075N15A

About The Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB075N15A.00625Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:To-263; No

Mosfet, Ca-N, 150V, 130A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:130A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00625Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) ,ONSEMI FDB075N15A

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Onsemi Fdb075N15A

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Specifications of Onsemi Fdb075N15A

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Onsemi Fdb075N15A
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Rating :- 8.12 /10
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Mosfet, Doppio Ca-N 40V 12A, Power 33-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1 |ONSEMI FDMC8030
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    • Rettificatore, Aec-Q101, 600V, Sod-123F; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.7V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente |ONSEMI ES1JFL
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    Bridge 1Fa, 600V, 25A, Ts6P; No.Diodo, Rett. Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):25A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Sip; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

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    Mosfet, Ca-N, 150V, 130A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:130A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00625Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Onsemi Fdb075N15A Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB075N15A.

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    Onsemi Dfb2560

    Diodo, Rett. Bridge 1Fa, 600V, 25A, Ts6P; No.

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    Mosfet, Ca-N, 150V, 130A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:130A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00625Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Onsemi Fdb075N15A Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB075N15A.

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