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Infineon Spd02N80C3Atma1

About The Mosfet, N, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.

Mosfet, N, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; ,INFINEON SPD02N80C3ATMA1

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CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, N, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Mosfet, N, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Infineon Spd02N80C3Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:2A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:800V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON SPD02N80C3ATMA1.

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    Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:227W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Spb17N80C3Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:17A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:800V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON SPB17N80C3ATMA1.

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    Mosfet, N, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.78Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Infineon Spd06N80C3Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:6A; Corrente Di Impulso Idm:18A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:800V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON SPD06N80C3ATMA1.

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