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Vishay Si4559Ady-T1-E3

About The Mosfet, N/P, So-8; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:5.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia V |VISHAY SI4559ADY-T1-E3

Mosfet, N/P, So-8; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:5.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia V ,VISHAY SI4559ADY-T1-E3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Si4559Ady-T1-E3

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Specifications of Vishay Si4559Ady-T1-E3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Vishay Si4559Ady-T1-E3
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Mosfet, P; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:18.6A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; D |VISHAY SI7463DP-T1-E3
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