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Vishay Si4840Bdy-T1-E3

About The Mosfet, N, So-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:19A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0074Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; |VISHAY SI4840BDY-T1-E3

Mosfet, N, So-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:19A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0074Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; ,VISHAY SI4840BDY-T1-E3

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Vishay Si4840Bdy-T1-E3

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Specifications of Vishay Si4840Bdy-T1-E3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, N, So-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.007Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:4.5V |VISHAY SI7174DP-T1-GE3
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