Vishay Si9433Bdy-T1-Ge3
About The 5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.Mosfet, Canale P, 20V, 4
Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-4.5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:12V ,VISHAY SI9433BDY-T1-GE3 Mosfet, Canale P, 20V, 4.5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.3W; Modello Case Transistor:Soic; No.
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si9433Bdy-T1-Ge3
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Vishay Si9433Bdy-T1-Ge3 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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