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Semiconduttori - Discreti
Vishay

Vishay Si9945Bdy-T1-Ge3

About The 1W; Modello Case Transistor:Soic; No.3A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:5

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:5.3A; Corrente Id Max:5.3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale N:0.058Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Drain Source Vds, Canale N:60V ,VISHAY SI9945BDY-T1-GE3 Mosfet, 2 Canali N, 60V, 5.3A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:5.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.1W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Semiconduttori - Discreti

Vishay Si9945Bdy-T1-Ge3

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Specifications of Vishay Si9945Bdy-T1-Ge3

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