reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Onsemi

Onsemi Mmbt5550Lt1G

About The Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:25 |ONSEMI MMBT5550LT1G

Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:25 ,ONSEMI MMBT5550LT1G

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Mmbt5550Lt1G

More from Onsemi | Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:25 |ONSEMI MMBT5550LT1G
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Mmbt5550Lt1G

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Onsemi Mmbt5550Lt1G
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.09 /10
Votes :- 50
Mosfet, N, 100V, 5.6A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.6A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.54Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |VISHAY IRF510PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia V |ONSEMI SI4435DY
  • Giochi e giocattoli
  • Giocattoli
  • Giocattoli educativi
  • Kit scientifici e di esplorazione
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI NDS9945.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Darl., Npn, 100V, 10A,to-247; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:125W; Corrente Di Collettore Cc:10A; Guadagno Di |STMICROELECTRONICS TIP142.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Transistor, Darl., Npn, 100V, 10A,to-247; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:125W; Corrente Di Collettore Cc:10A; Guadagno Di |STMICROELECTRONICS TIP142.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics