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Vishay Irf510Pbf

About The 54Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |VISHAY IRF510PBF.6A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5

Mosfet, N, 100V, 5.6A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.6A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.54Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D ,VISHAY IRF510PBF

Semiconduttori - Discreti

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Specifications of Vishay Irf510Pbf

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

:250; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):60V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Bipolare Per Alimentazione |ONSEMI MMBT5550LT1G.Onsemi mmbt5550Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:60Ma; Hfe Min.

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    Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:25V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:50Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:50Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    :1200; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:50Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):400V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI MMBT5089LT1G.

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    Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:15V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:40Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi mmbt2369Alt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:200Ma; Hfe Min.:20; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):500Mv; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Commutazione |ONSEMI MMBT2369ALT1G.

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