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Onsemi Si4435Dy

About The 8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia V |ONSEMI SI4435DY

Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia V ,ONSEMI SI4435DY

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Specifications of Onsemi Si4435Dy

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Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:15V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:40Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:15V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:40Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

:20; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):500Mv; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Commutazione |ONSEMI MMBT2369ALT1G.Onsemi mmbt2369Alt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:200Ma; Hfe Min.

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