Onsemi Mmbt2369Alt1G

Kit scientifici e di esplorazione

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Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.084Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2 |ONSEMI NTD3055-094T4G

Onsemi Ntd3055-094T4G.

Giochi e giocattoli

Giocattoli

Giocattoli educativi

Onsemi

Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-23A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.117Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-4V; Diss |INFINEON IRFP9140NPBF

Infineon Irfp9140Npbf.

Infineon

Transistor, Mosfet, PolaritÃ N; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7.8A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |VISHAY IRFPE50PBF

Vishay Irfpe50Pbf.

Vishay

Transistor Bipolare; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Onsemi mmbt5550Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:60Ma; Hfe Min.:250; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):60V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Bipolare Per Alimentazione |ONSEMI MMBT5550LT1G.

Onsemi

Transistor Bipolare; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

:250; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):60V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Bipolare Per Alimentazione |ONSEMI MMBT5550LT1G.Onsemi mmbt5550Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:60Ma; Hfe Min.