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Onsemi Si4435Dy

About The .8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-8.8A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-1.7V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale ,ONSEMI SI4435DY Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Semiconduttori - Discreti

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Specifications of Onsemi Si4435Dy

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Rating :- 8.22 /10
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Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI BC847BPDW1T1G
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    • Transistor, Unigiunzione; Corrente Diretta Ripetitiva Itrm Max:2A; Corrente Di Picco Emettitore:1Μa; Corrente A Valle Iv:6Ma; Modello Case Transistor:To-18; Numero Di Pin:3 Pin; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Gamma |MULTICOMP PRO 2N2646
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    • Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.7A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |VISHAY SI4848DY-T1-E3
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    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Stmicroelectronics Stn1Nk60Z Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:300Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:3.75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STN1NK60Z.

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    Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STN1NK60Z.Stmicroelectronics Stn1Nk60Z Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:300Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:3.

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