reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Onsemi

Onsemi Nds9945

About The .1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI NDS9945

Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia ,ONSEMI NDS9945.

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Nds9945

More from Circuiti Stampati E Componenti: Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI NDS9945.
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Nds9945

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Onsemi Nds9945
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.15 /10
Votes :- 55
Transistor,npnpnp,sot363; Polarità Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI BC847BPDW1T1G
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Unigiunzione; Corrente Diretta Ripetitiva Itrm Max:2A; Corrente Di Picco Emettitore:1Μa; Corrente A Valle Iv:6Ma; Modello Case Transistor:To-18; Numero Di Pin:3 Pin; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Gamma |MULTICOMP PRO 2N2646
  • Dispositivi elettronici
  • Stampa, copia, scansione e fax
  • Accessori per stampanti 3D
  • Semiconduttori - Discreti
  • Multicomp Pro
    • Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.7A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |VISHAY SI4848DY-T1-E3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Stmicroelectronics Stn1Nk60Z Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:300Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:3.75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STN1NK60Z.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.084Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.084Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    9V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10Vdc; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI NTD3055-094T4G.Onsemi Ntd3055-094T4G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:12A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:60Vdc; Tensione Vgs Max:2.

  • Giochi e giocattoli
  • Giocattoli
  • Giocattoli educativi
  • Kit scientifici e di esplorazione
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Onsemi Si4435Dy Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-8.

  • Giochi e giocattoli
  • Giocattoli
  • Giocattoli educativi
  • Kit scientifici e di esplorazione
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI NDS9945.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:85A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.012Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |VISHAY SUP85N10-10-E3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI NDS9945.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:85A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.012Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |VISHAY SUP85N10-10-E3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay