Vishay Si4848Dy-T1-E3

Rating :- 9.98 /10

Votes :- 49

Induttore, 18Nh, 5%, 0603, Multistrato; Induttanza:18Nh; Gamma Prodotti:Serie Ci160808; Intervallo Corrente Cc:300Ma; Involucro Induttore Alta Frequenza:0603 [1608 Metrico]; Struttura Induttore:Multistrato; Resistenza Cc |BOURNS CI160808-18NJ

Bourns Ci160808-18Nj.

Componenti passivi circuiti

Induttori

Componenti passivi

Bourns

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI MMBTA92LT1G

Onsemi mmbta92Lt1G.

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-40V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI MMBT4403LT1G

Onsemi mmbt4403Lt1G.

Transistor, Rf Bipolare; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C |ONSEMI BC847BWT1G

Onsemi Bc847Bwt1G.

Transistor,npnpnp,sot363; PolaritÃ Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente |ONSEMI BC847BPDW1T1G

Onsemi Bc847Bpdw1T1G.

Transistor, Unigiunzione; Corrente Diretta Ripetitiva Itrm Max:2A; Corrente Di Picco Emettitore:1Îa; Corrente A Valle Iv:6Ma; Modello Case Transistor:To-18; Numero Di Pin:3 Pin; Temperatura Di Esercizio Max:125Â°C; Gamma |MULTICOMP PRO 2N2646

Multicomp Pro 2N2646.

Stampa, copia, scansione e fax

Accessori per stampanti 3D

Multicomp Pro

Transistor, Mosfet, PolaritÃ N; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.7A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |VISHAY SI4848DY-T1-E3

Vishay Si4848Dy-T1-E3.

Vishay

Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

Stmicroelectronics Stn1Nk60Z Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:300Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:3.75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STN1NK60Z.

Stmicroelectronics

Transistor, Mosfet, PolaritÃ N; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.7A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |VISHAY SI4848DY-T1-E3

Vishay Si4848Dy-T1-E3.

Vishay

Transistor, Mosfet; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STN1NK60Z.Stmicroelectronics Stn1Nk60Z Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:300Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:3.