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Onsemi 2N5551Bu

About The Transistor, Npn, 160V, 0,6A, To-92-3; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:160V; Frequenza Di Transizione Ft:300Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno |ONSEMI 2N5551BU

Transistor, Npn, 160V, 0,6A, To-92-3; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:160V; Frequenza Di Transizione Ft:300Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno ,ONSEMI 2N5551BU

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Specifications of Onsemi 2N5551Bu

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Ca-N, 200V, 16A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |ONSEMI FDD18N20LZ
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    • Rettificatore, Aec-Q101, 600V, Sod-123F; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.7V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente |ONSEMI ES1JFL
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    Diodo, Rett. Di Pi |ONSEMI DFB2560.

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    Mosfet, Ca-N, 150V, 130A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:130A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00625Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Onsemi Fdb075N15A Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB075N15A.

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