Infineon Ipa60R125Cpxksa1
About The 11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPA60R125CPXKSA1.Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V ,INFINEON IPA60R125CPXKSA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipa60R125Cpxksa1
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Ipa60R125Cpxksa1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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