Infineon Ipb60R165Cpatma1

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Mosfet, N, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON SPB17N80C3ATMA1

Infineon Spb17N80C3Atma1.

Mosfet, N, To-247; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.04Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPW60R045CPFKSA1

Infineon Ipw60R045Cpfksa1.

Mosfet, N, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPP60R199CPXKSA1

Infineon Ipp60R199Cpxksa1.

Mosfet, N, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPP60R125CPXKSA1

Infineon Ipp60R125Cpxksa1.

Mosfet, N, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPP60R099CPXKSA1

Infineon Ipp60R099Cpxksa1.

Mosfet, N, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:255W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb60R099Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:31A; Corrente Di Impulso Idm:93A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:650V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON IPB60R099CPATMA1.

Mosfet, N, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb60R165Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:21A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:650V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON IPB60R165CPATMA1.

Mosfet, N, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPB60R165CPATMA1

Infineon Ipb60R165Cpatma1.

Mosfet, N, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, N, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPB60R165CPATMA1

Infineon Ipb60R165Cpatma1.