reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Ipb60R099Cpatma1

About The .09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPB60R099CPATMA1

Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V ,INFINEON IPB60R099CPATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipb60R099Cpatma1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Ipb60R099Cpatma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Ipb60R099Cpatma1
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.01 /10
Votes :- 50
Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPP60R125CPXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPP60R099CPXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:255W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:255W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R099Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:31A; Corrente Di Impulso Idm:93A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:650V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON IPB60R099CPATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R165Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:21A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:650V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON IPB60R165CPATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPB60R165CPATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Can N, 650V, 25A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |INFINEON IPB60R125CPATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPB60R099CPATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:9A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.35Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; |INFINEON IPA60R385CPXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPB60R099CPATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:9A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.35Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; |INFINEON IPA60R385CPXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon