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Nexperia Bf821,215

About The Transistor, Pnp, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:-50Ma; Guadagno Di Corrente Cc H |NEXPERIA BF821,215

Transistor, Pnp, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:-50Ma; Guadagno Di Corrente Cc H ,NEXPERIA BF821,215

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Semiconduttori - Discreti

Specifications of Nexperia Bf821,215

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Nexperia Bf821,215
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Diodo, Zener, 500Mw, 10V, Sod-80C; Tensione Zener Vz Tipica:10V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Involucro Diodo:Sod-80C; Tolleranza Zener ±:5%; No.

Diodo, Zener, 500Mw, 10V, Sod-80C; Tensione Zener Vz Tipica:10V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Involucro Diodo:Sod-80C; Tolleranza Zener ±:5%; No.

Nexperia Bzv55-C10,115 Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:200°C; Gamma Prodot |NEXPERIA BZV55-C10,115.

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    • Triac, 12A, 800V, To-220; Tensione Di Picco In Stato Off Ripetitiva Vdrm:800V; Corrente Rms Stato On It(Rms):12A; Modello Case Triac:To-220; Corrente Di Trigger Su Gate Max (Qi), Igt:-; Corrente Di Trigger Su Gate Max Vg |WEEN SEMICONDUCTORS BT138-800,127
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    • Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:190Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; |NEXPERIA BST82,215
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