Nexperia Bsh103,215

Name: Circuiti Stampati E Componenti: Mosfet, N, 30V, 0.85A, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di |NEXPERIA BSH103,215
Brand: Nexperia
SKU: CAJH-3317
Price: 2.22 EUR
Availability: InStock

About The Mosfet, N, 30V, 0.85A, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, N, 30V, 0.85A, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di ,NEXPERIA BSH103,215

Specifications of Nexperia Bsh103,215
Category	Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Nexperia Bsh103,215

About The Mosfet, N, 30V, 0.85A, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Nexperia Bsh103,215

Diodo, Zener, 30V, 500Mw; Tensione Zener Vz Tipica:30V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Involucro Diodo:Sod-80C; Tolleranza Zener Â±:5%; No.

Diodo, Zener, 500Mw, 10V, Sod-80C; Tensione Zener Vz Tipica:10V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Involucro Diodo:Sod-80C; Tolleranza Zener Â±:5%; No.

Triac, 12A, 800V, To-220; Tensione Di Picco In Stato Off Ripetitiva Vdrm:800V; Corrente Rms Stato On It(Rms):12A; Modello Case Triac:To-220; Corrente Di Trigger Su Gate Max (Qi), Igt:-; Corrente Di Trigger Su Gate Max Vg |WEEN SEMICONDUCTORS BT138-800,127

Transistor, Npn, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:500Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente C |NEXPERIA BSV52,215

Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:190Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; |NEXPERIA BST82,215

Transistor, Npn, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:800Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe |NEXPERIA BSR14,215

Mosfet, N, 30V, 0.85A, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di |NEXPERIA BSH103,215

Transistor, Pnp, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:-50Ma; Guadagno Di Corrente Cc H |NEXPERIA BF821,215

Mosfet, N, 30V, 0.85A, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di |NEXPERIA BSH103,215

Transistor, Pnp, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-300V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:-50Ma; Guadagno Di Corrente Cc H |NEXPERIA BF821,215