Vishay Si7898Dp-T1-Ge3

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Mosfet Esd, Canale N, 20V, 0.14A, Sc89; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:140Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensi |VISHAY SI1032R-T1-GE3

Vishay Si1032R-T1-Ge3.

Mosfet, Canale N, 40V, 50A, To252; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0069Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3

Vishay Sud50N04-8M8P-4Ge3.

Mosfet, Canale P, 20V, 4.5A, 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.3W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Vishay Si9433Bdy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-4.5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:12V |VISHAY SI9433BDY-T1-GE3.

Mosfet, Canale P, 30V, 50A, Ppak So8; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0042Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:69W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Vishay Si7149Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:25V |VISHAY SI7149DP-T1-GE3.