Mosfet, Canale N, 150V, 3A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.9W; Modello Case Transistor:Soic; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V ,VISHAY SI7898DP-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si7898Dp-T1-Ge3
Specifications of Vishay Si7898Dp-T1-Ge3 | |
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