Infineon Ikw25N120H3Fksa1
About The Igbt+ Diodo,1200V,25A,to247; Corrente Di Collettore Cc:25A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.2Kv; Modello Case Transistor:To- |INFINEON IKW25N120H3FKSA1
Igbt+ Diodo,1200V,25A,to247; Corrente Di Collettore Cc:25A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:326W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Transistor:To- ,INFINEON IKW25N120H3FKSA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ikw25N120H3Fksa1
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Ikw25N120H3Fksa1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Chip e circuiti integrati |
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