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Infineon Ikw40N120H3Fksa1

About The Igbt+ Diodo,1200V,40A,to247; Corrente Di Collettore Cc:40A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:483W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1

Igbt+ Diodo,1200V,40A,to247; Corrente Di Collettore Cc:40A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:483W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Transistor:To- ,INFINEON IKW40N120H3FKSA1

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Infineon Ikw40N120H3Fksa1

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CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Ikw40N120H3Fksa1
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Igbt,600V,75A,to247; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2V; Dissipazione Di Potenza Pd:428W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:600V; Modello Case Transistor:To-247; No.
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