reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Vishay

Vishay Irf740Pbf

About The 55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |VISHAY IRF740PBF.Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di ,VISHAY IRF740PBF

Semiconduttori - Discreti

Vishay Irf740Pbf

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Irf740Pbf

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Vishay Irf740Pbf
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.11 /10
Votes :- 54
Mosfet; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-23A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.117Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-4V; Diss |INFINEON IRFP9140NPBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7.8A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |VISHAY IRFPE50PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:140V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi mmbt5550Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:60Ma; Hfe Min.:250; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):60V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Bipolare Per Alimentazione |ONSEMI MMBT5550LT1G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:25V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:50Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:50Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:25V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:50Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:50Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    :1200; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:50Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):400V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI MMBT5089LT1G.Onsemi mmbt5089Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:50Ma; Hfe Min.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:15V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:40Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Transistor Bipolare; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:15V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:40Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi mmbt2369Alt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:200Ma; Hfe Min.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Mosfet, Polarità P; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-6.5A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.8Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione |VISHAY IRF9630PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |VISHAY IRF740PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N, 100V, 28A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:28A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |VISHAY IRF540PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Transistor, Mosfet, Polarità N; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |VISHAY IRF740PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N, 100V, 28A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:28A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |VISHAY IRF540PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay