Transistor, Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:85A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.012Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: ,VISHAY SUP85N10-10-E3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Sup85N10-10-E3
Specifications of Vishay Sup85N10-10-E3 | |
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