Kemet T520B476M006Ate040

Componenti passivi circuiti

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Mosfet, Canale P, 30V, 50A, Ppak So8; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0042Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:69W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Vishay Si7149Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:25V |VISHAY SI7149DP-T1-GE3.

Mosfet, Canale N, 150V, 3A, Ppak So8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.9W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Vishay Si7898Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI7898DP-T1-GE3.

Mosfet, Canale N, 150V, 3A, Ppak So8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SI7898DP-T1-GE3

Vishay Si7898Dp-T1-Ge3.

Mosfet, N Ch, 60V, 5.6A, Ppak So8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.6A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SI7414DN-T1-GE3

Vishay Si7414Dn-T1-Ge3.

Mosfet, Canale N, 40V, 30A, Ppak So8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |VISHAY SIR426DP-T1-GE3

Vishay Sir426Dp-T1-Ge3.

Mosfet, Canale N, 25V, 18A, 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0071Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SI4116DY-T1-GE3

Vishay Si4116Dy-T1-Ge3.

Con.

Kemet T520D227M010Ate018 220Îf, 10V, 20%, 2917, Bob; CapacitÃ :220Îf; Tensione Nominale:10V; Gamma Prodotti:Serie T52X Ko-CapÂ®; Tolleranza CapacitÃ :Â± 20%; Codice Dimensioni Produttore:D; Resistenza Esr:0.018Ohm; Temperatura Di Esercizio |KEMET T520D227M010ATE018.

Componenti passivi circuiti

Condensatori

Componenti passivi

Kemet

Con.

3V, 20%, Bob; CapacitÃ :47Îf; Tensione Nominale:6.04Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55 |KEMET T520B476M006ATE040.3V; Gamma Prodotti:Serie T52X Ko-CapÂ®; Tolleranza CapacitÃ :Â± 20%; Codice Dimensioni Produttore:B; Resistenza Esr:0.Kemet T520B476M006Ate040 47Îf, 6.