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Vishay Sir426Dp-T1-Ge3

About The Mosfet, Canale N, 40V, 30A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |VISHAY SIR426DP-T1-GE3

Mosfet, Canale N, 40V, 30A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi ,VISHAY SIR426DP-T1-GE3

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Specifications of Vishay Sir426Dp-T1-Ge3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet Esd, Canale N, 20V, 0.14A, Sc89; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:140Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensi |VISHAY SI1032R-T1-GE3
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    Vishay Si9433Bdy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-4.5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:12V |VISHAY SI9433BDY-T1-GE3.

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    Vishay Si7149Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:25V |VISHAY SI7149DP-T1-GE3.

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